Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKB30N65ES5ATMA1
IKB30N65ES5ATMA1

IKB30N65ES5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IKB30N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd135b40491d Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+120.61 грн
2000+114.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKB30N65ES5ATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns, Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 62 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 188 W.

Інші пропозиції IKB30N65ES5ATMA1 за ціною від 115.22 грн до 335.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKB30N65ES5ATMA1 IKB30N65ES5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKB30N65ES5_DataSheet_v01_10_EN-3362290.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.56 грн
10+208.47 грн
100+133.57 грн
500+115.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1 IKB30N65ES5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKB30N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd135b40491d Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.02 грн
10+213.29 грн
100+151.16 грн
500+116.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1 IKB30N65ES5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb30n65es5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKB30N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd135b40491d IKB30N65ES5ATMA1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.