Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKB40N65EF5ATMA1
IKB40N65EF5ATMA1

IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IKB40N65EF5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f0162a922319c6942 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+129.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 83 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns, Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 74 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції IKB40N65EF5ATMA1 за ціною від 108.66 грн до 390.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : INFINEON 2619564.pdf Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+177.77 грн
500+163.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKB40N65EF5_DataSheet_v02_01_EN-3361918.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+324.86 грн
10+209.14 грн
100+135.83 грн
500+122.25 грн
1000+108.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : INFINEON 2619564.pdf Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+325.06 грн
10+241.26 грн
100+177.77 грн
500+163.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+347.18 грн
42+292.88 грн
43+289.21 грн
100+230.05 грн
250+153.32 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKB40N65EF5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f0162a922319c6942 Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.08 грн
10+227.17 грн
100+161.78 грн
500+143.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+371.98 грн
10+313.80 грн
25+309.87 грн
100+246.49 грн
250+164.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+390.35 грн
38+330.22 грн
50+326.14 грн
100+258.48 грн
200+227.50 грн
500+186.08 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11infineon-ikb40n65ef5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d462625a528f0162a9.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD7954CB00F820&compId=IKB40N65EF5.pdf?ci_sign=f62162fca50ae64d7b1994688492f8e798f89f56 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 212ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD7954CB00F820&compId=IKB40N65EF5.pdf?ci_sign=f62162fca50ae64d7b1994688492f8e798f89f56 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 212ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.