Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKB40N65EF5ATMA1
IKB40N65EF5ATMA1

IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IKB40N65EF5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f0162a922319c6942 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+131.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 83 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns, Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 74 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції IKB40N65EF5ATMA1 за ціною від 110.18 грн до 386.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : INFINEON 2619564.pdf Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+180.25 грн
500+165.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKB40N65EF5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+329.39 грн
10+212.06 грн
100+137.73 грн
500+123.95 грн
1000+110.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : INFINEON 2619564.pdf Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+329.60 грн
10+244.62 грн
100+180.25 грн
500+165.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+343.84 грн
42+290.06 грн
43+286.43 грн
100+227.84 грн
250+151.84 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKB40N65EF5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f0162a922319c6942 Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.04 грн
10+230.34 грн
100+164.04 грн
500+145.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+368.40 грн
10+310.78 грн
25+306.89 грн
100+244.12 грн
250+162.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+386.60 грн
38+327.05 грн
50+323.01 грн
100+255.99 грн
200+225.31 грн
500+184.29 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11infineon-ikb40n65ef5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d462625a528f0162a9.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD7954CB00F820&compId=IKB40N65EF5.pdf?ci_sign=f62162fca50ae64d7b1994688492f8e798f89f56 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 212ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD7954CB00F820&compId=IKB40N65EF5.pdf?ci_sign=f62162fca50ae64d7b1994688492f8e798f89f56 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 212ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.