Продукція > Транзистори > IGBT > IKB40N65EF5ATMA1

IKB40N65EF5ATMA1

Код товару: 221187
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IKB40N65EF5ATMA1 за ціною від 141.31 грн до 445.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+237.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.47 грн
10+243.36 грн
25+181.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+294.47 грн
59+243.36 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+445.15 грн
46+309.87 грн
100+229.64 грн
500+198.39 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 INFINEON 2619564.pdf Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKB40N65EF5_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 INFINEON 2619564.pdf Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+400.63 грн
10+255.95 грн
100+182.08 грн
500+141.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf
IKB40N65EF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+237.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf
IKB40N65EF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+294.47 грн
10+243.36 грн
25+181.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf
IKB40N65EF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
49+294.47 грн
59+243.36 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf
IKB40N65EF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+445.15 грн
46+309.87 грн
100+229.64 грн
500+198.39 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 2619564.pdf
IKB40N65EF5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 Infineon_IKB40N65EF5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKB40N65EF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 2619564.pdf
IKB40N65EF5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+400.63 грн
10+255.95 грн
100+182.08 грн
500+141.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.