Продукція > INFINEON > IKB40N65EH5ATMA1
IKB40N65EH5ATMA1

IKB40N65EH5ATMA1 INFINEON

INFN-S-A0004843316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+184.19 грн
500+148.13 грн
1000+122.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKB40N65EH5ATMA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 78 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns, Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 74 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції IKB40N65EH5ATMA1 за ціною від 122.64 грн до 375.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IKB40N65EH5ATMA1 IKB40N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB40N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f0162a9221b17693f Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.66 грн
10+180.35 грн
100+127.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1 IKB40N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKB40N65EH5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+365.10 грн
10+236.68 грн
100+159.29 грн
500+141.67 грн
1000+124.05 грн
2000+122.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1 IKB40N65EH5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0004843316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.10 грн
10+236.82 грн
100+184.19 грн
500+148.13 грн
1000+122.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1 IKB40N65EH5ATMA1 Infineon Technologies infineonikb40n65eh5dsv0201en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+375.18 грн
56+255.28 грн
100+182.80 грн
500+171.70 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1 Infineon-IKB40N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f0162a9221b17693f
IKB40N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+284.66 грн
10+180.35 грн
100+127.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1 Infineon_IKB40N65EH5_DS_v02_01_EN.pdf
IKB40N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+365.10 грн
10+236.68 грн
100+159.29 грн
500+141.67 грн
1000+124.05 грн
2000+122.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1 INFN-S-A0004843316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKB40N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+365.10 грн
10+236.82 грн
100+184.19 грн
500+148.13 грн
1000+122.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1 infineonikb40n65eh5dsv0201en.pdf
IKB40N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
38+375.18 грн
56+255.28 грн
100+182.80 грн
500+171.70 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.