Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKB40N65ES5ATMA1
IKB40N65ES5ATMA1

IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IKB40N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f0162a922451d6945 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+129.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 73 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns, Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 79 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 230 W.

Інші пропозиції IKB40N65ES5ATMA1 за ціною від 105.64 грн до 422.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb40n65es5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+189.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb40n65es5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+203.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb40n65es5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+212.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Виробник : INFINEON 2619566.pdf Description: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+233.64 грн
500+197.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKB40N65ES5_DataSheet_v02_01_EN-3362292.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 3777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+324.86 грн
10+209.14 грн
100+135.83 грн
500+122.25 грн
1000+116.96 грн
5000+105.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb40n65es5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+347.18 грн
42+293.69 грн
43+286.52 грн
100+221.41 грн
250+202.97 грн
500+182.13 грн
1000+145.23 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKB40N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f0162a922451d6945 Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 8576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.08 грн
10+227.17 грн
100+161.78 грн
500+143.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb40n65es5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+371.98 грн
10+314.67 грн
25+306.98 грн
100+237.22 грн
250+217.46 грн
500+195.14 грн
1000+155.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Виробник : INFINEON 2619566.pdf Description: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+391.93 грн
10+289.51 грн
100+233.64 грн
500+197.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb40n65es5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+422.97 грн
35+358.76 грн
50+273.15 грн
100+262.41 грн
200+228.41 грн
500+193.07 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb40n65es5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD86BB011BB820&compId=IKB40N65ES5.pdf?ci_sign=772e35322d60b6684f9f2ae2275e07e31bb27b1c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD86BB011BB820&compId=IKB40N65ES5.pdf?ci_sign=772e35322d60b6684f9f2ae2275e07e31bb27b1c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.