Продукція > INFINEON > IKB40N65ES5ATMA1
IKB40N65ES5ATMA1

IKB40N65ES5ATMA1 INFINEON

2619566.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+172.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKB40N65ES5ATMA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 73 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns, Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 79 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 230 W.

Інші пропозиції IKB40N65ES5ATMA1 за ціною від 122.64 грн до 456.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies infineonikb40n65es5datasheetv0201en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.97 грн
10+211.68 грн
25+209.23 грн
100+187.12 грн
250+162.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies infineonikb40n65es5datasheetv0201en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+234.97 грн
67+211.68 грн
68+209.23 грн
100+187.12 грн
250+162.40 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies infineonikb40n65es5datasheetv0201en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+263.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKB40N65ES5_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY
на замовлення 3326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+365.10 грн
10+237.49 грн
100+148.01 грн
500+131.80 грн
1000+122.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 INFINEON 2619566.pdf Description: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.10 грн
10+242.58 грн
100+172.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies infineonikb40n65es5datasheetv0201en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+456.41 грн
44+322.87 грн
100+254.50 грн
500+210.95 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+149.25 грн
2000+135.02 грн
3000+130.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 3546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.94 грн
10+261.90 грн
100+186.32 грн
500+144.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 infineonikb40n65es5datasheetv0201en.pdf
IKB40N65ES5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+234.97 грн
10+211.68 грн
25+209.23 грн
100+187.12 грн
250+162.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 infineonikb40n65es5datasheetv0201en.pdf
IKB40N65ES5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
61+234.97 грн
67+211.68 грн
68+209.23 грн
100+187.12 грн
250+162.40 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 infineonikb40n65es5datasheetv0201en.pdf
IKB40N65ES5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+263.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 Infineon_IKB40N65ES5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKB40N65ES5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 3326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+365.10 грн
10+237.49 грн
100+148.01 грн
500+131.80 грн
1000+122.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 2619566.pdf
IKB40N65ES5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+365.10 грн
10+242.58 грн
100+172.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 infineonikb40n65es5datasheetv0201en.pdf
IKB40N65ES5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+456.41 грн
44+322.87 грн
100+254.50 грн
500+210.95 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+149.25 грн
2000+135.02 грн
3000+130.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 3546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+409.94 грн
10+261.90 грн
100+186.32 грн
500+144.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.