Продукція > INFINEON > IKD03N60RFATMA1
IKD03N60RFATMA1

IKD03N60RFATMA1 INFINEON

3163572.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 53.6W
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+44.75 грн
500+ 34.41 грн
1000+ 28.43 грн
5000+ 27.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKD03N60RFATMA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns, Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off), Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V, Gate Charge: 17.1 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A, Power - Max: 53.6 W.

Інші пропозиції IKD03N60RFATMA1 за ціною від 22.58 грн до 66.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Виробник : INFINEON 3163572.pdf Description: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 53.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 7076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+59.02 грн
17+ 45.87 грн
100+ 32.87 грн
500+ 25.87 грн
Мінімальне замовлення: 13
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKD03N60RF-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d3978350068 Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.95 грн
10+ 48.63 грн
100+ 37.81 грн
500+ 30.08 грн
1000+ 24.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKD03N60RF_DS_v02_06_EN-1226864.pdf IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.5 грн
10+ 53.99 грн
100+ 36.56 грн
500+ 30.97 грн
1000+ 25.24 грн
2500+ 24.31 грн
5000+ 22.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKD03N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 7.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies 240829753182675ikd03n60rfrev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941file..pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKD03N60RF-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d3978350068 Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
товар відсутній
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKD03N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 7.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній