Продукція > INFINEON > IKD03N60RFATMA1
IKD03N60RFATMA1

IKD03N60RFATMA1 INFINEON

3163572.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 53.6W
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.43 грн
500+38.01 грн
1000+31.41 грн
5000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKD03N60RFATMA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns, Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off), Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V, Gate Charge: 17.1 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A, Power - Max: 53.6 W.

Інші пропозиції IKD03N60RFATMA1 за ціною від 25.23 грн до 113.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Виробник : INFINEON 3163572.pdf Description: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 53.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 7076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+65.20 грн
17+50.67 грн
100+36.31 грн
500+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKD03N60RF_DS_v02_06_EN-1226864.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.85 грн
10+64.38 грн
100+40.68 грн
500+34.58 грн
1000+30.60 грн
2500+26.34 грн
5000+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKD03N60RF-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d3978350068 Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.00 грн
10+68.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKD03N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 7.5A
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies 240829753182675ikd03n60rfrev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941file..pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKD03N60RF-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d3978350068 Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKD03N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 7.5A
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.