Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKD04N60RATMA1
IKD04N60RATMA1

IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IKD04N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d927b3e01a0 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 43 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns, Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off), Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V, Gate Charge: 27 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A, Power - Max: 75 W.

Інші пропозиції IKD04N60RATMA1 за ціною від 24.00 грн до 120.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKD04N60R_DS_v02_05_EN-2320596.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.31 грн
10+53.93 грн
100+37.21 грн
500+31.04 грн
1000+28.40 грн
2500+27.01 грн
5000+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKD04N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d927b3e01a0 Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.03 грн
10+60.85 грн
100+40.31 грн
500+29.55 грн
1000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.44 грн
10+59.02 грн
29+31.73 грн
78+30.04 грн
1000+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.53 грн
10+73.55 грн
29+38.07 грн
78+36.05 грн
1000+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1406125698344343dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433c5c92f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.