Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKD04N60RATMA1
IKD04N60RATMA1

IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IKD04N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d927b3e01a0 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 43 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns, Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off), Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V, Gate Charge: 27 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A, Power - Max: 75 W.

Інші пропозиції IKD04N60RATMA1 за ціною від 22.42 грн до 125.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKD04N60R_DS_v02_05_EN-2320596.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 6432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.64 грн
10+53.33 грн
100+36.81 грн
500+30.69 грн
1000+27.93 грн
2500+24.49 грн
5000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKD04N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d927b3e01a0 Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.34 грн
10+60.51 грн
100+40.07 грн
500+29.37 грн
1000+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+104.74 грн
10+61.54 грн
29+33.16 грн
78+31.33 грн
1000+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.69 грн
10+76.69 грн
29+39.80 грн
78+37.60 грн
1000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1406125698344343dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433c5c92f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.