Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKD04N60RATMA1
IKD04N60RATMA1

IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies

fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 43 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns, Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off), Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V, Gate Charge: 27 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A, Power - Max: 75 W.

Інші пропозиції IKD04N60RATMA1 за ціною від 26.99 грн до 100.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies 1406125698344343dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433c5c92f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies 1406125698344343dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433c5c92f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.25 грн
10+55.55 грн
50+39.13 грн
100+33.99 грн
200+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.74 грн
10+60.97 грн
100+40.43 грн
500+29.66 грн
1000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60R_DS_v02_05_EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 1406125698344343dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433c5c92f.pdf
IKD04N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 1406125698344343dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433c5c92f.pdf
IKD04N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60R.pdf
IKD04N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+81.25 грн
10+55.55 грн
50+39.13 грн
100+33.99 грн
200+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IKD04N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.74 грн
10+60.97 грн
100+40.43 грн
500+29.66 грн
1000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 Infineon_IKD04N60R_DS_v02_05_EN.pdf
IKD04N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.