Продукція > INFINEON > IKD04N60RFATMA1
IKD04N60RFATMA1

IKD04N60RFATMA1 INFINEON

3163573.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14.2A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.11 грн
500+39.45 грн
1000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKD04N60RFATMA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns, Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off), Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V, Gate Charge: 27 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A, Power - Max: 75 W.

Інші пропозиції IKD04N60RFATMA1 за ціною від 29.92 грн до 109.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Виробник : INFINEON 3163573.pdf Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14.2A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+95.50 грн
13+67.59 грн
100+52.11 грн
500+39.45 грн
1000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN-3362143.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.47 грн
10+67.60 грн
25+57.02 грн
100+44.40 грн
250+42.79 грн
500+36.03 грн
1000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d6c806d00dc Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.56 грн
10+66.66 грн
100+44.49 грн
500+32.80 грн
1000+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d6c806d00dc
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1632574526467963dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433c5c92f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783FA69A7DB8B0259&compId=IKD04N60RF.pdf?ci_sign=a5c7bbdc7a42672854858807ced6a63c83269dd0 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d6c806d00dc Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783FA69A7DB8B0259&compId=IKD04N60RF.pdf?ci_sign=a5c7bbdc7a42672854858807ced6a63c83269dd0 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.