
IKD04N60RFATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 75W
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 65.20 грн |
500+ | 53.49 грн |
1000+ | 39.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKD04N60RFATMA1 INFINEON
Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns, Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off), Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V, Gate Charge: 27 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A, Power - Max: 75 W.
Інші пропозиції IKD04N60RFATMA1 за ціною від 28.65 грн до 109.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IKD04N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKD04N60RFATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14.2A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKD04N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W |
на замовлення 2318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IKD04N60RFATMA1 | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
IKD04N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IKD04N60RFATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IKD04N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IKD04N60RFATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |