Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKD04N60RFATMA1
IKD04N60RFATMA1

IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d6c806d00dc
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.36 грн
10+68.20 грн
100+45.48 грн
500+33.52 грн
1000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns, Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off), Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V, Gate Charge: 27 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A, Power - Max: 75 W.

Інші пропозиції IKD04N60RFATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 INFINEON 3163573.pdf Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 14.2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 INFINEON 3163573.pdf Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 14.2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 Infineon Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d6c806d00dc
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 3163573.pdf
IKD04N60RFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 14.2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN.pdf
IKD04N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 3163573.pdf
IKD04N60RFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 14.2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d6c806d00dc
Виробник: Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.