IKD06N60RAATMA2 Infineon Technologies
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 398+ | 54.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKD06N60RAATMA2 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 68 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns, Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A, Power - Max: 100 W.
Інші пропозиції IKD06N60RAATMA2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IKD06N60RAATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
IKD06N60RAATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W |
товару немає в наявності |
|
 |
IKD06N60RAATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES |
товару немає в наявності |