Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IKD06N60RATMA1 за ціною від 23.71 грн до 109.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKD06N60RATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKD06N60RATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 100W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 19ns Turn-off time: 279ns Collector current: 6A Pulsed collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V |
на замовлення 527 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKD06N60RATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD06N60RATMA1 - IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKD06N60RATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKD06N60RATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W |
товару немає в наявності |