Продукція > Транзистори > IGBT > IKD06N60RATMA1

IKD06N60RATMA1

Infineon-IKD06N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5dd406a402d6
Код товару: 182592
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IKD06N60RATMA1 за ціною від 25.02 грн до 124.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 Infineon Technologies 1623478918722613ikd06n60r_2_2.pdffileiddb3a30433c5c92fb013c5dd406a402d6folderidd..pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
869+40.73 грн
1000+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD06N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 515 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.93 грн
10+57.52 грн
100+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 INFINEON INFN-S-A0004163179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKD06N60RATMA1 - IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.50 грн
14+62.08 грн
100+41.03 грн
500+30.24 грн
1000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD06N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5dd406a402d6 Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.46 грн
10+64.29 грн
100+42.74 грн
500+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD06N60R_DS_v02_05_EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.17 грн
10+76.68 грн
100+44.19 грн
500+35.03 грн
1000+31.15 грн
2500+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 1623478918722613ikd06n60r_2_2.pdffileiddb3a30433c5c92fb013c5dd406a402d6folderidd..pdf
IKD06N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
869+40.73 грн
1000+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60R.pdf
IKD06N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 515 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+95.93 грн
10+57.52 грн
100+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 INFN-S-A0004163179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKD06N60RATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD06N60RATMA1 - IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+99.50 грн
14+62.08 грн
100+41.03 грн
500+30.24 грн
1000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 Infineon-IKD06N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5dd406a402d6
IKD06N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+105.46 грн
10+64.29 грн
100+42.74 грн
500+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 Infineon_IKD06N60R_DS_v02_05_EN.pdf
IKD06N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+124.17 грн
10+76.68 грн
100+44.19 грн
500+35.03 грн
1000+31.15 грн
2500+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.