Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKD06N60RATMA1
IKD06N60RATMA1

IKD06N60RATMA1 Infineon Technologies

1623478918722613ikd06n60r_2_2.pdffileiddb3a30433c5c92fb013c5dd406a402d6folderidd..pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
796+38.23 грн
1000+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 796
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKD06N60RATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 68 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns, Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off), Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A, Power - Max: 100 W.

Інші пропозиції IKD06N60RATMA1 за ціною від 25.69 грн до 132.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004163179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKD06N60RATMA1 - IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.03 грн
12+68.38 грн
100+53.24 грн
500+41.95 грн
1000+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKD06N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5dd406a402d6 Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.19 грн
10+63.65 грн
100+42.39 грн
500+31.21 грн
1000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDD3F1CDA1D820&compId=IKD06N60R.pdf?ci_sign=c4b8048f27233912a33abdef90e7ecad642b9369 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 279ns
Turn-on time: 19ns
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.71 грн
10+64.86 грн
22+41.05 грн
60+38.85 грн
500+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKD06N60R_DS_v02_05_EN-1226890.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.06 грн
10+75.27 грн
100+43.98 грн
500+34.54 грн
1000+31.49 грн
2500+28.16 грн
5000+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDD3F1CDA1D820&compId=IKD06N60R.pdf?ci_sign=c4b8048f27233912a33abdef90e7ecad642b9369 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 279ns
Turn-on time: 19ns
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 833 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.85 грн
10+80.82 грн
22+49.25 грн
60+46.62 грн
500+44.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1
Код товару: 182592
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IKD06N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5dd406a402d6 Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1623478918722613ikd06n60r_2_2.pdffileiddb3a30433c5c92fb013c5dd406a402d6folderidd..pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1623478918722613ikd06n60r_2_2.pdffileiddb3a30433c5c92fb013c5dd406a402d6folderidd..pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1623478918722613ikd06n60r_2_2.pdffileiddb3a30433c5c92fb013c5dd406a402d6folderidd..pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKD06N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5dd406a402d6 Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.