IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 22.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 51.7W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51.7W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Dauerkollektorstrom: 11.7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP RC, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 11.7A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IKD06N60RC2ATMA1 за ціною від 18.57 грн до 100.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKD06N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKD06N60RC2ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 51.7W euEccn: NLR Verlustleistung: 51.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Dauerkollektorstrom: 11.7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 11.7A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
на замовлення 1849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
на замовлення 2125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
на замовлення 4895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 98 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 31 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 51.7 W |
на замовлення 4091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKD06N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package |
на замовлення 3959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RC2ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 51.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 11.7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IKD06N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005349953 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
товару немає в наявності |