Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKD06N60RC2ATMA1
IKD06N60RC2ATMA1

IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies

infineonikd06n60rc2datasheetv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
567+24.98 грн
588+24.07 грн
1000+23.29 грн
2500+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 51.7W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51.7W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Dauerkollektorstrom: 11.7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP RC, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 11.7A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IKD06N60RC2ATMA1 за ціною від 24.18 грн до 140.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD06N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652234ae34d20 Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies infineonikd06n60rc2datasheetv0201en.pdf Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
924+38.31 грн
1002+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 924 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies infineonikd06n60rc2datasheetv0201en.pdf Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
924+38.31 грн
1002+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 924 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 INFINEON 3180285.pdf Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 51.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 11.7A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.89 грн
500+28.86 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 INFINEON 3180285.pdf Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.21 грн
15+57.07 грн
100+38.89 грн
500+28.86 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD06N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652234ae34d20 Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.70 грн
10+61.47 грн
100+40.77 грн
500+29.93 грн
1000+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies infineonikd06n60rc2datasheetv0201en.pdf Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.09 грн
209+67.98 грн
237+59.78 грн
500+44.73 грн
1000+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD06N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.61 грн
10+85.92 грн
100+49.13 грн
500+38.62 грн
1000+32.99 грн
2500+29.88 грн
5000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 Infineon-IKD06N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652234ae34d20
IKD06N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 infineonikd06n60rc2datasheetv0201en.pdf
IKD06N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
924+38.31 грн
1002+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 924 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 infineonikd06n60rc2datasheetv0201en.pdf
IKD06N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
924+38.31 грн
1002+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 924 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 3180285.pdf
IKD06N60RC2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 51.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 11.7A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+38.89 грн
500+28.86 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 3180285.pdf
IKD06N60RC2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+96.21 грн
15+57.07 грн
100+38.89 грн
500+28.86 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 Infineon-IKD06N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652234ae34d20
IKD06N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+100.70 грн
10+61.47 грн
100+40.77 грн
500+29.93 грн
1000+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 infineonikd06n60rc2datasheetv0201en.pdf
IKD06N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
124+114.09 грн
209+67.98 грн
237+59.78 грн
500+44.73 грн
1000+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 Infineon_IKD06N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKD06N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+140.61 грн
10+85.92 грн
100+49.13 грн
500+38.62 грн
1000+32.99 грн
2500+29.88 грн
5000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.