IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 567+ | 25.81 грн |
| 588+ | 24.88 грн |
| 1000+ | 24.07 грн |
| 2500+ | 22.52 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
567 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 51.7W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51.7W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Dauerkollektorstrom: 11.7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP RC, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 11.7A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IKD06N60RC2ATMA1 за ціною від 23.72 грн до 119.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies |
 Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
на замовлення 2125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
на замовлення 1849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252 |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package |
на замовлення 4955 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKD06N60RC2ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 51.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 11.7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IKD06N60RC2ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 51.7W euEccn: NLR Verlustleistung: 51.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Dauerkollektorstrom: 11.7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 11.7A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IKD06N60RC2ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 924+ | 39.59 грн |
| 1002+ | 36.50 грн |
| IKD06N60RC2ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 924+ | 39.59 грн |
| 1002+ | 36.50 грн |
| IKD06N60RC2ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 104.52 грн |
| 10+ | 63.59 грн |
| 100+ | 42.13 грн |
| IKD06N60RC2ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 124+ | 117.90 грн |
| 209+ | 70.25 грн |
| 237+ | 61.78 грн |
| 500+ | 46.23 грн |
| 1000+ | 42.02 грн |
| IKD06N60RC2ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 119.12 грн |
| 10+ | 73.90 грн |
| 100+ | 42.64 грн |
| 500+ | 33.33 грн |
| 1000+ | 30.33 грн |
| 2500+ | 25.53 грн |
| 5000+ | 23.72 грн |
| IKD06N60RC2ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IKD06N60RC2ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 51.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 11.7A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 51.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 11.7A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)