IKD06N60RFATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1104+ | 11.48 грн |
| 1122+ | 11.30 грн |
| 1139+ | 11.13 грн |
| 1159+ | 10.55 грн |
| 1178+ | 9.61 грн |
| 1198+ | 9.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKD06N60RFATMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 48 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns, Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off), Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A, Power - Max: 100 W.
Інші пропозиції IKD06N60RFATMA1 за ціною від 9.72 грн до 114.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IKD06N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IKD06N60RFATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 12A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IKD06N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 48 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RFATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 12A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IKD06N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
на замовлення 2087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IKD06N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 48 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
IKD06N60RFATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 18A Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 15ns Turn-off time: 128ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |