Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKD06N60RFATMA1
IKD06N60RFATMA1

IKD06N60RFATMA1 Infineon Technologies

infineon-ikd06n60-rf-datasheet-v02_04-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1104+12.59 грн
1122+12.39 грн
1139+12.20 грн
1159+11.56 грн
1178+10.53 грн
1198+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 1104
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKD06N60RFATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 48 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns, Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off), Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A, Power - Max: 100 W.

Інші пропозиції IKD06N60RFATMA1 за ціною від 9.95 грн до 112.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikd06n60-rf-datasheet-v02_04-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+31.61 грн
58+12.78 грн
59+12.59 грн
60+11.95 грн
100+10.89 грн
250+10.28 грн
500+10.11 грн
1000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004163181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.88 грн
500+27.22 грн
1000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikd06n60-rf-datasheet-v02_04-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikd06n60-rf-datasheet-v02_04-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
741+46.93 грн
1000+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 741
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004163181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.15 грн
16+51.93 грн
100+37.88 грн
500+27.22 грн
1000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKD06N60RF_DataSheet_v02_04_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.26 грн
10+70.54 грн
100+40.71 грн
500+32.05 грн
1000+29.21 грн
2500+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-EiceDRIVER_Gate_Driver_ICs-ProductSelectionGuide-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018094fa56806ee1&redirId=195507 Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.93 грн
10+69.15 грн
100+46.20 грн
500+34.11 грн
1000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikd06n60-rf-datasheet-v02_04-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-EiceDRIVER_Gate_Driver_ICs-ProductSelectionGuide-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018094fa56806ee1&redirId=195507 Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.