Продукція > INFINEON > IKD06N60RFATMA1
IKD06N60RFATMA1

IKD06N60RFATMA1 INFINEON

INFN-S-A0004163181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+55.28 грн
500+ 45.37 грн
1000+ 33.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKD06N60RFATMA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 48 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns, Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off), Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A, Power - Max: 100 W.

Інші пропозиції IKD06N60RFATMA1 за ціною від 30.03 грн до 85.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKD06N60RF_DataSheet_v02_04_EN-3361920.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.98 грн
10+ 51.39 грн
100+ 38.36 грн
500+ 35.03 грн
1000+ 31.57 грн
2500+ 31.23 грн
5000+ 30.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-EiceDRIVER_Gate_Driver_ICs-ProductSelectionGuide-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018094fa56806ee1&redirId=195507 Description: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.12 грн
10+ 64.58 грн
100+ 50.24 грн
500+ 39.96 грн
1000+ 32.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004163181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+85.16 грн
11+ 71.72 грн
100+ 55.28 грн
500+ 45.37 грн
1000+ 33.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikd06n60-rf-datasheet-v02_04-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKD06N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 128ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-EiceDRIVER_Gate_Driver_ICs-ProductSelectionGuide-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018094fa56806ee1&redirId=195507 Description: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товар відсутній
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKD06N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 128ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній