Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKD06N60RFATMA1
IKD06N60RFATMA1

IKD06N60RFATMA1 Infineon Technologies

infineon-ikd06n60-rf-datasheet-v02_04-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1104+12.81 грн
1122+12.62 грн
1139+12.42 грн
1159+11.77 грн
1178+10.73 грн
1198+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 1104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKD06N60RFATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 48 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns, Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off), Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A, Power - Max: 100 W.

Інші пропозиції IKD06N60RFATMA1 за ціною від 10.13 грн до 120.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Infineon Technologies infineon-ikd06n60-rf-datasheet-v02_04-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.18 грн
58+13.01 грн
59+12.81 грн
60+12.17 грн
100+11.09 грн
250+10.47 грн
500+10.30 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 INFINEON INFN-S-A0004163181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.57 грн
500+27.72 грн
1000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Infineon Technologies infineon-ikd06n60-rf-datasheet-v02_04-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Infineon Technologies infineon-ikd06n60-rf-datasheet-v02_04-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
741+47.79 грн
1000+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 INFINEON INFN-S-A0004163181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.96 грн
16+52.87 грн
100+38.57 грн
500+27.72 грн
1000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon-EiceDRIVER_Gate_Driver_ICs-ProductSelectionGuide-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018094fa56806ee1&redirId=195507 Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.97 грн
10+70.40 грн
100+47.04 грн
500+34.73 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD06N60RF_DataSheet_v02_04_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.88 грн
10+75.95 грн
100+43.98 грн
500+34.61 грн
1000+31.58 грн
2500+28.26 грн
5000+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 infineon-ikd06n60-rf-datasheet-v02_04-en.pdf
IKD06N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+32.18 грн
58+13.01 грн
59+12.81 грн
60+12.17 грн
100+11.09 грн
250+10.47 грн
500+10.30 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 INFN-S-A0004163181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKD06N60RFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+38.57 грн
500+27.72 грн
1000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 infineon-ikd06n60-rf-datasheet-v02_04-en.pdf
IKD06N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
330+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 infineon-ikd06n60-rf-datasheet-v02_04-en.pdf
IKD06N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
741+47.79 грн
1000+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 INFN-S-A0004163181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKD06N60RFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+101.96 грн
16+52.87 грн
100+38.57 грн
500+27.72 грн
1000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 Infineon-EiceDRIVER_Gate_Driver_ICs-ProductSelectionGuide-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018094fa56806ee1&redirId=195507
IKD06N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+114.97 грн
10+70.40 грн
100+47.04 грн
500+34.73 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 Infineon_IKD06N60RF_DataSheet_v02_04_EN.pdf
IKD06N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+120.88 грн
10+75.95 грн
100+43.98 грн
500+34.61 грн
1000+31.58 грн
2500+28.26 грн
5000+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.