IKD08N65ET6ARMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 163.52 грн |
| 10+ | 130.76 грн |
| 100+ | 104.06 грн |
| 500+ | 82.63 грн |
| 1000+ | 70.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKD08N65ET6ARMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V, Verlustleistung Pd: 47W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 47W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 15A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IKD08N65ET6ARMA1 за ціною від 65.66 грн до 171.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKD08N65ET6ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKD08N65ET6ARMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 47W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IKD08N65ET6ARMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: 47W euEccn: NLR Verlustleistung: 47W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 15A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IKD08N65ET6ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
TRENCHSTOP IGBT6, 650V 8A 175°, PG-TO252-3 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| IKD08N65ET6ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT with Anti-parallel Diode |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IKD08N65ET6ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT with Anti-parallel Diode |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IKD08N65ET6ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 17 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A Power - Max: 47 W |
товар відсутній |