Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKD10N60RATMA1
IKD10N60RATMA1

IKD10N60RATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IKD10N60R-DS-v02_05-EN.pdf Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.56 грн
10+52.71 грн
100+35.65 грн
500+31.24 грн
1000+29.79 грн
2500+25.77 грн
5000+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKD10N60RATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns, Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 64 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 150 W.

Інші пропозиції IKD10N60RATMA1 за ціною від 29.54 грн до 108.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKD10N60RATMA1 IKD10N60RATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKD10N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5df8088c02fd Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.53 грн
10+66.03 грн
100+43.97 грн
500+32.40 грн
1000+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1089765411209619ikd10n60r_2_2.pdffileiddb3a30433c5c92fb013c5df8088c02fdfolderidd..pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1 IKD10N60RATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKD10N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5df8088c02fd Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1 IKD10N60RATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDE350DCA63820&compId=IKD10N60R.pdf?ci_sign=ecb612de43b087b36cf1e0a347077a0e414f088b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.