IKD10N60RC2ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 79W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 18.8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 18.8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 48.55 грн |
| 500+ | 36.27 грн |
| 1000+ | 30.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKD10N60RC2ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 79W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Dauerkollektorstrom: 18.8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP RC, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 18.8A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IKD10N60RC2ATMA1 за ціною від 23.24 грн до 120.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKD10N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 104 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 79 W |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKD10N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 600 V, 10 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKD10N60RC2ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 18.8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IKD10N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IKD10N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IKD10N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IKD10N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications, 600V 10A, 175° PG-TO252-3 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| IKD10N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IKD10N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 104 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 79 W |
товару немає в наявності |