IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 26.75 грн |
| 5000+ | 23.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 79W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP RC, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 18.8A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IKD10N60RC2ATMA1 за ціною від 27.06 грн до 100.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKD10N60RC2ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 79W euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 18.8A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKD10N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 600 V, 10 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package |
на замовлення 4443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKD10N60RC2ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKD10N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 104 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 79 W |
на замовлення 5789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IKD10N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IKD10N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IKD10N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IKD10N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications, 600V 10A, 175° PG-TO252-3 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| IKD10N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
товару немає в наявності |