Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKD10N60RC2ATMA1
IKD10N60RC2ATMA1

IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.39 грн
5000+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 79W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Dauerkollektorstrom: 18.8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP RC, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 18.8A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IKD10N60RC2ATMA1 за ціною від 32.63 грн до 123.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23 Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
на замовлення 7384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.56 грн
10+72.31 грн
100+48.35 грн
500+35.73 грн
1000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD10N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs 600 V, 10 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 INFINEON 3180302.pdf Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 18.8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 INFINEON 3180302.pdf Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 79W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 18.8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 18.8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies infineon-ikd10n60rc2-datasheet-v02_01-en.pdf Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies infineon-ikd10n60rc2-datasheet-v02_01-en.pdf Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.33 грн
128+111.21 грн
157+90.09 грн
250+85.42 грн
500+67.66 грн
1000+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies infineon-ikd10n60rc2-datasheet-v02_01-en.pdf Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.96 грн
10+112.33 грн
25+111.21 грн
100+86.88 грн
250+79.09 грн
500+64.96 грн
1000+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1 Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23
IKD10N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
на замовлення 7384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.56 грн
10+72.31 грн
100+48.35 грн
500+35.73 грн
1000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1 Infineon_IKD10N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKD10N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 10 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1 3180302.pdf
IKD10N60RC2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 18.8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1 3180302.pdf
IKD10N60RC2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 79W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 18.8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 18.8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1 infineon-ikd10n60rc2-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+64.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1 infineon-ikd10n60rc2-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
126+112.33 грн
128+111.21 грн
157+90.09 грн
250+85.42 грн
500+67.66 грн
1000+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1 infineon-ikd10n60rc2-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+123.96 грн
10+112.33 грн
25+111.21 грн
100+86.88 грн
250+79.09 грн
500+64.96 грн
1000+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.