IKD10N60RF Infineon
Код товару: 113379
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Infineon
Корпус: TO-252-3
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,2 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 20 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 10 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 150 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 12/168
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IKD10N60RF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IKD10N60RF | Infineon Technologies |
Description: IKD10N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V Gate Charge: 64 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 150 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IKD10N60RF | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| IKD10N60RF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IKD10N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
Description: IKD10N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IKD10N60RF |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.