
IKD10N60RFATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 69.41 грн |
500+ | 51.80 грн |
1000+ | 44.28 грн |
5000+ | 41.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKD10N60RFATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V, Verlustleistung Pd: 150W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 20A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IKD10N60RFATMA1 за ціною від 41.38 грн до 150.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IKD10N60RFATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKD10N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKD10N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V Gate Charge: 64 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 150 W |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKD10N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IKD10N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IKD10N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IKD10N60RFATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 150W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ RC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 27ns Turn-off time: 186ns Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IKD10N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V Gate Charge: 64 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 150 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IKD10N60RFATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 150W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ RC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 27ns Turn-off time: 186ns Collector-emitter voltage: 600V |
товару немає в наявності |