IKD10N60RFATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 59.03 грн |
| 500+ | 45.47 грн |
| 1000+ | 38.41 грн |
| 5000+ | 37.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKD10N60RFATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V, Verlustleistung Pd: 150W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Dauerkollektorstrom: 20A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 20A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IKD10N60RFATMA1 за ціною від 30.21 грн до 145.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKD10N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V Gate Charge: 64 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 150 W |
на замовлення 2463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKD10N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
на замовлення 6311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKD10N60RFATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 20A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKD10N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IKD10N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IKD10N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IKD10N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V Gate Charge: 64 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 150 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IKD10N60RFATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 150W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 64nC Turn-on time: 27ns Turn-off time: 186ns Collector current: 10A |
товару немає в наявності |