Продукція > INFINEON > IKD10N60RFATMA1
IKD10N60RFATMA1

IKD10N60RFATMA1 INFINEON


INFN-S-A0004163151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.41 грн
500+51.80 грн
1000+44.28 грн
5000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKD10N60RFATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V, Verlustleistung Pd: 150W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 20A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IKD10N60RFATMA1 за ціною від 41.38 грн до 150.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RFATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004163151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.09 грн
10+95.73 грн
100+69.41 грн
500+51.80 грн
1000+44.28 грн
5000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKD10N60RF_DS_v02_05_EN-3361983.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 6812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.04 грн
10+95.60 грн
100+60.55 грн
500+49.51 грн
1000+45.83 грн
2500+43.70 грн
5000+42.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IKD10N60RF_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304335c2937a0135e7ea2d2d7a72 Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.41 грн
10+92.65 грн
100+62.83 грн
500+46.98 грн
1000+44.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1086455520356558dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304335c2937.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1086455520356558dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304335c2937.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1086455520356558dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304335c2937.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RFATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDE9EBA7B4D820&compId=IKD10N60RF.pdf?ci_sign=ff07afe3ccf9dab31c2c7d5cd2c6e1307060f858 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IKD10N60RF_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304335c2937a0135e7ea2d2d7a72 Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RFATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDE9EBA7B4D820&compId=IKD10N60RF.pdf?ci_sign=ff07afe3ccf9dab31c2c7d5cd2c6e1307060f858 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.