IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 34.86 грн |
| 5000+ | 31.28 грн |
| 7500+ | 30.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns, Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 90 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 250 W.
Інші пропозиції IKD15N60RATMA1 за ціною від 32.70 грн до 146.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKD15N60RATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKD15N60RATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 250W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 26ns Turn-off time: 319ns Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Collector-emitter voltage: 600V |
на замовлення 1899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKD15N60RATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W |
на замовлення 9257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKD15N60RATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A |
на замовлення 19814 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKD15N60RATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKD15N60RATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 250W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 26ns Turn-off time: 319ns Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1899 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKD15N60RATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IKD15N60RATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |