Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKD15N60RATMA1
IKD15N60RATMA1

IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IKD15N60R-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5e03026003b2 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.53 грн
5000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns, Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 90 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції IKD15N60RATMA1 за ціною від 33.93 грн до 176.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004163161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.84 грн
500+49.90 грн
1000+42.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKD15N60R-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5e03026003b2 Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 7054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.72 грн
10+84.34 грн
100+56.81 грн
500+42.24 грн
1000+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.18 грн
5+108.36 грн
10+95.42 грн
50+80.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKD15N60R_DS_v02_04_EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A
на замовлення 19859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.63 грн
10+92.85 грн
100+54.27 грн
500+43.01 грн
1000+39.83 грн
2500+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004163161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.50 грн
50+101.02 грн
100+67.84 грн
500+49.90 грн
1000+42.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.61 грн
5+135.04 грн
10+114.51 грн
50+96.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8589ikd15n60r_2_4.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8589ikd15n60r_2_4.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8589ikd15n60r_2_4.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.