IKD15N60RC2ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 115.4W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 28A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 28A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 57.54 грн |
| 500+ | 43.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKD15N60RC2ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 115.4W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115.4W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Dauerkollektorstrom: 28A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP RC, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 28A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IKD15N60RC2ATMA1 за ціною від 27.64 грн до 141.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IKD15N60RC2ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115.4W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 28A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKD15N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package |
на замовлення 1789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKD15N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 129 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 72 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 115.4 W |
на замовлення 849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IKD15N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IKD15N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IKD15N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
на замовлення 571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| IKD15N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005349957 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| IKD15N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IKD15N60RC2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 129 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 72 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 115.4 W |
товару немає в наявності |