на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.55 грн |
| 10+ | 124.07 грн |
| 100+ | 85.87 грн |
| 250+ | 79.26 грн |
| 500+ | 71.85 грн |
| 1000+ | 61.87 грн |
| 2500+ | 58.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKD15N60RF Infineon Technologies
Description: IKD15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 74 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns, Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 90 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 250 W.
Інші пропозиції IKD15N60RF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IKD15N60RF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IKD15N60 - DISCRETE IGBT WITH ANPackaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W |
товару немає в наявності |