IKD15N60RFAATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKD15N60RFAATMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 74 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns, Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 90 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 240 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IKD15N60RFAATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IKD15N60RFAATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 240000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
IKD15N60RFAATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 240 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |