IKD15N60RFATMA1

IKD15N60RFATMA1 Infineon Technologies


DS_IKD15N60RF_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304335c2937a0135e75d857b7a1a Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKD15N60RFATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 74 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns, Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 90 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції IKD15N60RFATMA1 за ціною від 48.90 грн до 184.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1623404747076283ikd15n60rf_2_3.pdffileiddb3a304335c2937a0135e75d857b7a1afolderid..pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
142+86.36 грн
160+76.44 грн
162+75.67 грн
164+72.24 грн
250+66.22 грн
500+62.93 грн
1000+61.01 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1623404747076283ikd15n60rf_2_3.pdffileiddb3a304335c2937a0135e75d857b7a1afolderid..pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+92.53 грн
10+81.90 грн
25+81.08 грн
100+77.40 грн
250+70.95 грн
500+67.43 грн
1000+65.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 Виробник : INFINEON 2580923.pdf Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+93.96 грн
500+69.96 грн
1000+55.29 грн
5000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 Виробник : INFINEON 2580923.pdf Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+171.84 грн
10+118.51 грн
100+93.96 грн
500+69.96 грн
1000+55.29 грн
5000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IKD15N60RF_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304335c2937a0135e75d857b7a1a Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 5444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.48 грн
10+114.45 грн
100+78.44 грн
500+59.14 грн
1000+58.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1623404747076283ikd15n60rf_2_3.pdffileiddb3a304335c2937a0135e75d857b7a1afolderid..pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF85E72955820&compId=IKD15N60RF.pdf?ci_sign=9b3a2a6a184bf30583c6686dacdbdd53ba4602b7 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1623404747076283ikd15n60rf_2_3.pdffileiddb3a304335c2937a0135e75d857b7a1afolderid..pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKD15N60RF_DS_v02_03_EN-1731524.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF85E72955820&compId=IKD15N60RF.pdf?ci_sign=9b3a2a6a184bf30583c6686dacdbdd53ba4602b7 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.