Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKFW40N60DH3E

IKFW40N60DH3E Infineon technologies

Виробник: Infineon technologies

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис IKFW40N60DH3E Infineon technologies

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™, Power dissipation: 81W, Case: PG-TO247-3-AI, Mounting: THT, Gate charge: 107nC, Kind of package: tube, Pulsed collector current: 90A, Turn-on time: 52ns, Turn-off time: 160ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 28A, Collector-emitter voltage: 600V, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode.

Інші пропозиції IKFW40N60DH3E

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	IKFW40N60DH3EXKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 81W Case: PG-TO247-3-AI Mounting: THT Gate charge: 107nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 90A Turn-on time: 52ns Turn-off time: 160ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 28A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн.

IKFW40N60DH3EXKSA1

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 81W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 160ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 240 шт

В кошику од. на суму грн.