IKFW40N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/144ns
Switching Energy: 870µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 111 W
Description: IGBT TRENCH FS 600V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/144ns
Switching Energy: 870µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 111 W
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 375.31 грн |
30+ | 286.19 грн |
120+ | 245.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKFW40N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 34A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 72 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/144ns, Switching Energy: 870µJ (on), 360µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 107 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 34 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 111 W.
Інші пропозиції IKFW40N60DH3EXKSA1 за ціною від 169.81 грн до 442.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IKFW40N60DH3EXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IKFW40N60DH3EXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IKFW40N60DH3EXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IKFW40N60DH3EXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IKFW40N60DH3EXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 28A Power dissipation: 81W Case: PG-TO247-3-AI Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 107nC Kind of package: tube Turn-on time: 52ns Turn-off time: 160ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IKFW40N60DH3EXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IKFW40N60DH3EXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 28A Power dissipation: 81W Case: PG-TO247-3-AI Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 107nC Kind of package: tube Turn-on time: 52ns Turn-off time: 160ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |