IKFW40N60DH3EXKSA1

IKFW40N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IKFW40N60DH3E-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016034ff098b2df8 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/144ns
Switching Energy: 870µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 111 W
на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+375.31 грн
30+ 286.19 грн
120+ 245.3 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKFW40N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 34A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 72 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/144ns, Switching Energy: 870µJ (on), 360µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 107 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 34 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 111 W.

Інші пропозиції IKFW40N60DH3EXKSA1 за ціною від 169.81 грн до 442.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKFW40N60DH3EXKSA1 IKFW40N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKFW40N60DH3E_DataSheet_v02_01_EN-3362089.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+407.89 грн
10+ 337.73 грн
25+ 276.36 грн
100+ 237.07 грн
240+ 184.46 грн
480+ 175.81 грн
1200+ 169.81 грн
IKFW40N60DH3EXKSA1 IKFW40N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw40n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+437.89 грн
29+ 402.85 грн
31+ 384.89 грн
100+ 326.38 грн
Мінімальне замовлення: 27
IKFW40N60DH3EXKSA1 IKFW40N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw40n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+442.45 грн
10+ 407.04 грн
25+ 388.9 грн
100+ 329.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW40N60DH3EXKSA1 IKFW40N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw40n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW40N60DH3EXKSA1 IKFW40N60DH3EXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKFW40N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 81W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 160ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKFW40N60DH3EXKSA1 IKFW40N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw40n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW40N60DH3EXKSA1 IKFW40N60DH3EXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKFW40N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 81W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 160ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній