IKFW40N65DH5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 53A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 14Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 358.46 грн |
| 30+ | 193.63 грн |
| 120+ | 160.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKFW40N65DH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 53A HSIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 64 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns, Switching Energy: 1.17mJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 14Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 53 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 106 W.
Інші пропозиції IKFW40N65DH5XKSA1 за ціною від 323.14 грн до 474.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKFW40N65DH5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKFW40N65DH5XKSA1 - IGBT, 53 A, 1.8 V, 106 W, 650 V, HSIP247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: HSIP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 53A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| IKFW40N65DH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP001728800 |
товару немає в наявності |
||||||||||
| IKFW40N65DH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Discrete Chip |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
IKFW40N65DH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 40 A IGBT in TO-247 advanced isolation package |
товару немає в наявності |