Продукція > INFINEON > IKFW40N65DH5XKSA1
IKFW40N65DH5XKSA1

IKFW40N65DH5XKSA1 INFINEON

3760038.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKFW40N65DH5XKSA1 - IGBT, 53 A, 1.8 V, 106 W, 650 V, HSIP247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 53A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+458.86 грн
10+316.08 грн
100+312.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKFW40N65DH5XKSA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH FS 650V 53A HSIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 64 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns, Switching Energy: 1.17mJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 14Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 53 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 106 W.

Інші пропозиції IKFW40N65DH5XKSA1 за ціною від 220.39 грн до 481.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKFW40N65DH5XKSA1 IKFW40N65DH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKFW40N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972f3891f03 Description: IGBT TRENCH FS 650V 53A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 14Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.46 грн
30+264.28 грн
120+220.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW40N65DH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw40n65dh5-datasheet-v02_01-en.pdf SP001728800
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW40N65DH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw40n65dh5-datasheet-v02_01-en.pdf IGBT Discrete Chip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW40N65DH5XKSA1 IKFW40N65DH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKFW40N65DH5_DataSheet_v02_01_EN-3361795.pdf IGBTs 650 V, 40 A IGBT in TO-247 advanced isolation package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.