Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKFW50N60DH3EXKSA1
IKFW50N60DH3EXKSA1

IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5 Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 64 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/174ns, Switching Energy: 1.28mJ (on), 560µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 8Ohm, 15V, Gate Charge: 160 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 130 W.

Інші пропозиції IKFW50N60DH3EXKSA1 за ціною від 137.82 грн до 441.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw50n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+352.84 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+378.14 грн
30+353.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKFW50N60DH3E-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016034ff1f782dfb Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/174ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.63 грн
30+205.56 грн
120+170.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKFW50N60DH3E-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.53 грн
10+227.78 грн
100+149.87 грн
480+137.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw50n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+411.68 грн
32+388.06 грн
33+384.19 грн
100+333.08 грн
240+250.93 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Виробник : INFINEON 2849722.pdf Description: INFINEON - IKFW50N60DH3EXKSA1 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 130 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+430.02 грн
10+248.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw50n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+441.09 грн
10+415.77 грн
25+411.63 грн
100+356.87 грн
240+268.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw50n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw50n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.