IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 329.53 грн |
3+ | 270.52 грн |
4+ | 248.27 грн |
9+ | 235.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 64 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/174ns, Switching Energy: 1.28mJ (on), 560µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 8Ohm, 15V, Gate Charge: 160 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 130 W.
Інші пропозиції IKFW50N60DH3EXKSA1 за ціною від 185.6 грн до 560.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 37A Power dissipation: 95W Case: PG-TO247-3-AI Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 192ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 64 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/174ns Switching Energy: 1.28mJ (on), 560µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 130 W |
на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKFW50N60DH3EXKSA1 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 130 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |