Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKFW50N60DH3EXKSA1
IKFW50N60DH3EXKSA1

IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IKFW50N60DH3E.pdf Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+344.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 64 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/174ns, Switching Energy: 1.28mJ (on), 560µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 8Ohm, 15V, Gate Charge: 160 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 130 W.

Інші пропозиції IKFW50N60DH3EXKSA1 за ціною від 159.70 грн до 459.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw50n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+367.96 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKFW50N60DH3E-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016034ff1f782dfb Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/174ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+393.63 грн
30+213.52 грн
120+176.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKFW50N60DH3E_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+410.63 грн
10+240.30 грн
100+173.20 грн
480+159.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+412.84 грн
10+352.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw50n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+429.33 грн
32+404.69 грн
33+400.65 грн
100+347.35 грн
240+261.68 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Виробник : INFINEON 2849722.pdf Description: INFINEON - IKFW50N60DH3EXKSA1 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 130 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+453.66 грн
10+262.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw50n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+459.99 грн
10+433.59 грн
25+429.27 грн
100+372.16 грн
240+280.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw50n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw50n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.