IKFW50N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/174ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 359.25 грн |
| 30+ | 194.88 грн |
| 120+ | 161.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKFW50N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 64 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/174ns, Switching Energy: 1.28mJ (on), 560µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 8Ohm, 15V, Gate Charge: 160 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 130 W.
Інші пропозиції IKFW50N60DH3EXKSA1 за ціною від 239.15 грн до 461.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKFW50N60DH3EXKSA1 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 130 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs HOME APPLIANCES |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 95W Case: PG-TO247-3-AI Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 60ns Turn-off time: 192ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 37A |
товару немає в наявності |



