IKFW50N60ETXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 240 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 422.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKFW50N60ETXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: IGBT TRENCH FS 600V 73A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 91 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/305ns, Switching Energy: 1.5mJ (on), 1.42mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 290 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 73 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 164 W.
Інші пропозиції IKFW50N60ETXKSA1 за ціною від 365.18 грн до 750.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKFW50N60ETXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKFW50N60ETXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKFW50N60ETXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 73A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 91 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/305ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 1.42mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 290 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 73 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 164 W |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKFW50N60ETXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKFW50N60ETXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 59A Power dissipation: 120W Case: PG-TO247-3-AI Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 290nC Kind of package: tube Turn-on time: 61ns Turn-off time: 332ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IKFW50N60ETXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKFW50N60ETXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKFW50N60ETXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |