
IKFW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 59A HSIP247-3-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/131ns
Switching Energy: 1.46mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12.2Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 124 W
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 665.30 грн |
30+ | 375.56 грн |
120+ | 317.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKFW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 59A HSIP247-3-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 68 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/131ns, Switching Energy: 1.46mJ (on), 630µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 12.2Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 59 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 124 W.
Інші пропозиції IKFW50N65DH5XKSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
IKFW50N65DH5XKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IKFW50N65DH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||
IKFW50N65DH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||
|
IKFW50N65DH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |