Продукція > INFINEON > IKFW50N65EH5XKSA1
IKFW50N65EH5XKSA1

IKFW50N65EH5XKSA1 INFINEON

3177195.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKFW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 650V, 59A, 124W, HSIP247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 59A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+271.52 грн
5+250.89 грн
10+229.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKFW50N65EH5XKSA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH FS 650V 59A HSIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 52 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/138ns, Switching Energy: 1.2mJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 15.1Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 59 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 124 W.

Інші пропозиції IKFW50N65EH5XKSA1 за ціною від 287.65 грн до 662.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKFW50N65EH5XKSA1 IKFW50N65EH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKFW50N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201754b1a2aa576ae Description: IGBT TRENCH FS 650V 59A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/138ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15.1Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 124 W
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+654.95 грн
30+369.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N65EH5XKSA1 IKFW50N65EH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKFW50N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3361941.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+662.60 грн
10+642.14 грн
25+346.51 грн
100+301.63 грн
240+300.89 грн
480+287.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N65EH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw50n65eh5-datasheet-v02_01-en.pdf SP001728804
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N65EH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw50n65eh5-datasheet-v02_01-en.pdf High Speed Fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.