IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 59A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/138ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15.1Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 124 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 588.07 грн |
| 30+ | 329.52 грн |
| 120+ | 277.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 59A HSIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 52 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/138ns, Switching Energy: 1.2mJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 15.1Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 59 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 124 W.
Інші пропозиції IKFW50N65EH5XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IKFW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IKFW50N65EH5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKFW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 650V, 59A, 124W, HSIP247, 1.65Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: HSIP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 59A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IKFW50N65EH5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IKFW50N65EH5XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKFW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 650V, 59A, 124W, HSIP247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 59A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IKFW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 650V, 59A, 124W, HSIP247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 59A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)