Продукція > INFINEON > IKFW50N65ES5XKSA1
IKFW50N65ES5XKSA1

IKFW50N65ES5XKSA1 INFINEON

3177194.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKFW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 650 V, 74 A, 127W, HSIP247, 1.35 Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+454.6 грн
5+ 423.14 грн
10+ 390.94 грн
50+ 332.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKFW50N65ES5XKSA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A HSIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 69 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns, Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 74 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 127 W.

Інші пропозиції IKFW50N65ES5XKSA1 за ціною від 398.89 грн до 579.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKFW50N65ES5XKSA1 IKFW50N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKFW50N65ES5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972bb321efa Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 69 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 127 W
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+579.91 грн
30+ 445.82 грн
120+ 398.89 грн
IKFW50N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw50n65es5-datasheet-v02_01-en.pdf SP001728802
товар відсутній
IKFW50N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw50n65es5-datasheet-v02_01-en.pdf High Speed Fast IGBT
товар відсутній
IKFW50N65ES5XKSA1 IKFW50N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKFW50N65ES5_DataSheet_v02_01_EN-3361870.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній