IKFW60N60DH3EXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKFW60N60DH3EXKSA1 - IGBT, 53 A, 2.2 V, 141 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 141
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 53
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKFW60N60DH3EXKSA1 INFINEON
Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 68 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns, Switching Energy: 1.57mJ (on), 720µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 53 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 141 W.
Інші пропозиції IKFW60N60DH3EXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IKFW60N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns Switching Energy: 1.57mJ (on), 720µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 53 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 141 W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. |
|
IKFW60N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs HOME APPLIANCES |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
IKFW60N60DH3EXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 44A Power dissipation: 104W Case: PG-TO247-3-AI Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 62ns Turn-off time: 189ns Gate charge: 0.21µC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
IKFW60N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. |
|
IKFW60N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. |
|
IKFW60N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. |
|
IKFW60N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. |
| IKFW60N60DH3EXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 141 W
Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 141 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKFW60N60DH3EXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES
IGBTs HOME APPLIANCES
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IKFW60N60DH3EXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 189ns
Gate charge: 0.21µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 189ns
Gate charge: 0.21µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IKFW60N60DH3EXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKFW60N60DH3EXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKFW60N60DH3EXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKFW60N60DH3EXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.






