IKFW60N60EH3XKSA1

IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+607.58 грн
30+341.92 грн
120+288.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™, Power dissipation: 164W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 290nC, Kind of package: tube, Collector current: 50A, Pulsed collector current: 200A, Collector-emitter voltage: 600V, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-on time: 64ns, Turn-off time: 253ns, Gate-emitter voltage: ±20V.

Інші пропозиції IKFW60N60EH3XKSA1 за ціною від 256.90 грн до 653.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKFW60N60EH3XKSA1 IKFW60N60EH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+653.51 грн
10+378.47 грн
100+269.82 грн
480+256.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60EH3XKSA1 IKFW60N60EH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1755300373416360infineon-ikfw60n60eh3-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46262b31d2e01630.pdf High speed switching series third generation IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60EH3XKSA1 IKFW60N60EH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1755300373416360infineon-ikfw60n60eh3-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46262b31d2e01630.pdf High speed switching series third generation IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60EH3XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.