IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 732.87 грн |
| 30+ | 417.65 грн |
| 120+ | 354.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™, Power dissipation: 164W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 290nC, Kind of package: tube, Collector current: 50A, Pulsed collector current: 200A, Collector-emitter voltage: 600V, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-on time: 64ns, Turn-off time: 253ns, Gate-emitter voltage: ±20V.
Інші пропозиції IKFW60N60EH3XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IKFW60N60EH3XKSA1 | Infineon Technologies |
 IGBTs INDUSTRY |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. |
| IKFW60N60EH3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 164W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 290nC Kind of package: tube Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 64ns Turn-off time: 253ns Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IKFW60N60EH3XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
IGBTs INDUSTRY
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKFW60N60EH3XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.