Технічний опис IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™, Power dissipation: 164W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 290nC, Kind of package: tube, Collector current: 50A, Pulsed collector current: 200A, Collector-emitter voltage: 600V, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-on time: 64ns, Turn-off time: 253ns, Gate-emitter voltage: ±20V.
Інші пропозиції IKFW60N60EH3XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IKFW60N60EH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 High speed switching series third generation IGBT |
товару немає в наявності |
|
 |
IKFW60N60EH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT Packaging: Tube Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|
 |
IKFW60N60EH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY 14 |
товару немає в наявності |
|
| IKFW60N60EH3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 164W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 290nC Kind of package: tube Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 64ns Turn-off time: 253ns Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |