IKFW60N60EH3XKSA1

IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+613.45 грн
30+344.90 грн
120+291.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™, Power dissipation: 164W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 290nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Collector current: 50A, Pulsed collector current: 200A, Turn-on time: 64ns, Turn-off time: 253ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector-emitter voltage: 600V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IKFW60N60EH3XKSA1 за ціною від 283.93 грн до 688.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKFW60N60EH3XKSA1 IKFW60N60EH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKFW60N60EH3_DS_v02_01_EN-1731672.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+688.40 грн
10+493.74 грн
100+357.40 грн
480+319.14 грн
1200+283.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60EH3XKSA1 IKFW60N60EH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1755300373416360infineon-ikfw60n60eh3-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46262b31d2e01630.pdf High speed switching series third generation IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60EH3XKSA1 IKFW60N60EH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1755300373416360infineon-ikfw60n60eh3-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46262b31d2e01630.pdf High speed switching series third generation IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60EH3XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60EH3XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.