на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 606.81 грн |
10+ | 428.94 грн |
25+ | 356.81 грн |
100+ | 353.13 грн |
240+ | 352.39 грн |
480+ | 344.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™, Power dissipation: 164W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 290nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Collector current: 50A, Pulsed collector current: 200A, Turn-on time: 64ns, Turn-off time: 253ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector-emitter voltage: 600V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IKFW60N60EH3XKSA1 за ціною від 346.97 грн до 715.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IKFW60N60EH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Part Status: Active |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IKFW60N60EH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IKFW60N60EH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
IKFW60N60EH3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 164W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 290nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 64ns Turn-off time: 253ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
IKFW60N60EH3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 164W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 290nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 64ns Turn-off time: 253ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V |
товару немає в наявності |