Продукція > INFINEON > IKFW60N65ES5XKSA1
IKFW60N65ES5XKSA1

IKFW60N65ES5XKSA1 INFINEON

3177193.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKFW60N65ES5XKSA1 - IGBT, 650V, 77A, 138W, HSIP247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 77A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+647.02 грн
5+624.74 грн
10+601.63 грн
50+361.71 грн
100+279.42 грн
250+273.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKFW60N65ES5XKSA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH FS 650V 77A HSIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 77 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns, Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 77 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 138 W.

Інші пропозиції IKFW60N65ES5XKSA1 за ціною від 308.99 грн до 669.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKFW60N65ES5XKSA1 IKFW60N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKFW60N65ES5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d97303931f06 Description: IGBT TRENCH FS 650V 77A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 77 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 138 W
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+658.93 грн
30+373.61 грн
120+316.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N65ES5XKSA1 IKFW60N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKFW60N65ES5_DataSheet_v02_01_EN-1954792.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+669.47 грн
10+614.22 грн
25+369.31 грн
100+321.49 грн
240+320.76 грн
480+308.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw60n65es5-datasheet-v02_01-en.pdf SP001878206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw60n65es5-datasheet-v02_01-en.pdf Cost Effective Integrated IGBT With Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.