на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 748.43 грн |
10+ | 736.90 грн |
25+ | 411.98 грн |
100+ | 370.78 грн |
480+ | 347.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/206ns, Switching Energy: 1.8mJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 144 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 148 W.
Інші пропозиції IKFW75N65EH5XKSA1 за ціною від 432.54 грн до 757.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IKFW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/206ns Switching Energy: 1.8mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 144 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 148 W |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
IKFW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||
![]() |
IKFW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |