IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/206ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 734.61 грн |
| 30+ | 419.34 грн |
| 120+ | 356.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/206ns, Switching Energy: 1.8mJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 144 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 148 W.
Інші пропозиції IKFW75N65EH5XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IKFW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IKFW75N65EH5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKFW75N65EH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 148W, HSIP247, 1.65Vsat Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 148 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: HSIP247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 Kollektorstrom: 80 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IKFW75N65EH5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IKFW75N65EH5XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKFW75N65EH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 148W, HSIP247, 1.65Vsat
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 148
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: HSIP247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IKFW75N65EH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 148W, HSIP247, 1.65Vsat
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 148
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: HSIP247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)