IKFW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/152ns
Switching Energy: 1.48mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 367.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKFW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 71 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/152ns, Switching Energy: 1.48mJ (on), 660µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 8Ohm, 15V, Gate Charge: 144 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 148 W.
Інші пропозиції IKFW75N65ES5XKSA1 за ціною від 256.14 грн до 936.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKFW75N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Hard-switching IGBT5 Discrete |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKFW75N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKFW75N65ES5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKFW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 148W, HSIP247, 1.35Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Bauform - Transistor: HSIP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKFW75N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Hard-switching IGBT5 Discrete |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IKFW75N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP001728806 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IKFW75N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Hard-switching IGBT5 Discrete |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IKFW75N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 71 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/152ns Switching Energy: 1.48mJ (on), 660µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 144 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 148 W |
товару немає в наявності |