IKFW90N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/151ns
Switching Energy: 2.5mJ (on), 990µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 154 W
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 798.42 грн |
| 10+ | 529.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKFW90N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 89 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 42ns/151ns, Switching Energy: 2.5mJ (on), 990µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 16Ohm, 15V, Gate Charge: 165 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 154 W.
Інші пропозиції IKFW90N65ES5XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IKFW90N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP001728810 |
товару немає в наявності |
||
| IKFW90N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Discrete Chip |
товару немає в наявності |
||
|
|
IKFW90N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY 14 |
товару немає в наявності |