Продукція > INFINEON > IKN01N60RC2ATMA1
IKN01N60RC2ATMA1

IKN01N60RC2ATMA1 INFINEON


Infineon-IKN01N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a5b490763 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKN01N60RC2ATMA1 - IGBT, 2.2 A, 2 V, 5.1 W, 600 V, SOT-223, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 5.1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 2.2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 2.2A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.33 грн
500+27.59 грн
1000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKN01N60RC2ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IKN01N60RC2ATMA1 - IGBT, 2.2 A, 2 V, 5.1 W, 600 V, SOT-223, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 5.1W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 2.2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 2.2A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IKN01N60RC2ATMA1 за ціною від 14.95 грн до 64.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKN01N60RC2ATMA1 IKN01N60RC2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKN01N60RC2_DataSheet_v01_10_EN-3361872.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.85 грн
10+41.56 грн
100+25.04 грн
500+20.90 грн
1000+17.85 грн
3000+15.82 грн
6000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKN01N60RC2ATMA1 IKN01N60RC2ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IKN01N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a5b490763 Description: INFINEON - IKN01N60RC2ATMA1 - IGBT, 2.2 A, 2 V, 5.1 W, 600 V, SOT-223, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 2.2A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+63.09 грн
18+47.38 грн
100+35.33 грн
500+27.59 грн
1000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IKN01N60RC2ATMA1 IKN01N60RC2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKN01N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a5b490763 Description: IGBT 600V 2.2A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Td (on/off) @ 25°C: 5.6ns/80ns
Switching Energy: 25.1µJ (on), 13.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 1A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 9 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 3 A
Power - Max: 5.1 W
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.37 грн
10+38.70 грн
100+25.10 грн
500+18.07 грн
1000+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKN01N60RC2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKN01N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a5b490763 SP005547444
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKN01N60RC2ATMA1 IKN01N60RC2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKN01N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a5b490763 Description: IGBT 600V 2.2A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Td (on/off) @ 25°C: 5.6ns/80ns
Switching Energy: 25.1µJ (on), 13.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 1A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 9 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 3 A
Power - Max: 5.1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.