IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a4d0f0760
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 7.5A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/126ns
Switching Energy: 95µJ (on), 62µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 6.8 W
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.69 грн
10+50.37 грн
100+33.09 грн
500+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IKN04N60RC2ATMA1 - IGBT, 7.5 A, 2 V, 6.8 W, 600 V, SOT-223, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 6.8W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 7.5A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 7.5A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IKN04N60RC2ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKN04N60RC2ATMA1 IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKN04N60RC2_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 3229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKN04N60RC2ATMA1 IKN04N60RC2ATMA1 INFINEON Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a4d0f0760 Description: INFINEON - IKN04N60RC2ATMA1 - IGBT, 7.5 A, 2 V, 6.8 W, 600 V, SOT-223, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 7.5A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKN04N60RC2ATMA1 IKN04N60RC2ATMA1 INFINEON Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a4d0f0760 Description: INFINEON - IKN04N60RC2ATMA1 - IGBT, 7.5 A, 2 V, 6.8 W, 600 V, SOT-223, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 6.8W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 7.5A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 7.5A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKN04N60RC2ATMA1 Infineon_IKN04N60RC2_DataSheet_v01_10_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 3229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKN04N60RC2ATMA1 Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a4d0f0760
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKN04N60RC2ATMA1 - IGBT, 7.5 A, 2 V, 6.8 W, 600 V, SOT-223, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 7.5A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKN04N60RC2ATMA1 Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a4d0f0760
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKN04N60RC2ATMA1 - IGBT, 7.5 A, 2 V, 6.8 W, 600 V, SOT-223, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 6.8W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 7.5A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 7.5A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.