IKP06N60TXKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 125+ | 113.09 грн |
| 132+ | 106.66 грн |
| 152+ | 92.61 грн |
| 200+ | 85.24 грн |
| 500+ | 78.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKP06N60TXKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 123 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns, Switching Energy: 200µJ, Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 42 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A, Power - Max: 88 W.
Інші пропозиції IKP06N60TXKSA1 за ціною від 34.09 грн до 124.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IKP06N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 88W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 15ns Turn-off time: 188ns Collector current: 6A Pulsed collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V |
на замовлення 480 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 123 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns Switching Energy: 200µJ Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 42 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 88 W |
на замовлення 1353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKP06N60TXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKP06N60TXKSA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 88W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 12A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IKP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IKP06N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 119.74 грн |
| 10+ | 67.53 грн |
| 50+ | 61.77 грн |
| IKP06N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.62 грн |
| 50+ | 56.07 грн |
| 100+ | 50.11 грн |
| 500+ | 37.24 грн |
| 1000+ | 34.09 грн |
| IKP06N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 114+ | 124.20 грн |
| 139+ | 101.46 грн |
| 166+ | 85.10 грн |
| 500+ | 73.33 грн |
| IKP06N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 124.35 грн |
| 10+ | 101.58 грн |
| 100+ | 85.20 грн |
| 500+ | 73.42 грн |
| IKP06N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP06N60TXKSA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IKP06N60TXKSA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IKP06N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)







