Продукція > Транзистори > IGBT > IKP10N60T

IKP10N60T

Код товару: 101238
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IKP10N60T за ціною від 51.60 грн до 125.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP10N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 62nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.28 грн
5+90.41 грн
10+78.53 грн
50+58.33 грн
100+51.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60T IKP10N60T Infineon Technologies Infineon-IKP10N60T-DataSheet-v02_06-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60T.pdf
IKP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 62nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+125.28 грн
5+90.41 грн
10+78.53 грн
50+58.33 грн
100+51.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60T Infineon-IKP10N60T-DataSheet-v02_06-EN.pdf
IKP10N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.