Продукція > Транзистори > IGBT > IKP10N60TXKSA1

IKP10N60TXKSA1

IKP10N60T+Rev2_3G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bceea1b13587
Код товару: 132883
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IKP10N60TXKSA1 за ціною від 40.03 грн до 163.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 Infineon Technologies infineon-ikp10n60t-datasheet-v02_06-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
440+80.39 грн
500+72.36 грн
1000+66.72 грн
Мінімальне замовлення: 440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP10N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Collector current: 10A
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.91 грн
5+92.31 грн
10+80.17 грн
50+59.56 грн
100+52.69 грн
250+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKP10N60T-DataSheet-v02_06-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.72 грн
10+68.82 грн
100+54.06 грн
500+48.00 грн
1000+44.83 грн
2500+42.15 грн
5000+40.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 INFINEON 2331898.pdf Description: INFINEON - IKP10N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 20 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.30 грн
12+73.18 грн
100+65.45 грн
500+48.18 грн
1000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 Infineon Technologies IKP10N60T+Rev2_3G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bceea1b13587 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 infineon-ikp10n60t-datasheet-v02_06-en.pdf
IKP10N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
440+80.39 грн
500+72.36 грн
1000+66.72 грн
Мінімальне замовлення: 440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60T.pdf
IKP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Collector current: 10A
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+127.91 грн
5+92.31 грн
10+80.17 грн
50+59.56 грн
100+52.69 грн
250+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 Infineon-IKP10N60T-DataSheet-v02_06-EN.pdf
IKP10N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+144.72 грн
10+68.82 грн
100+54.06 грн
500+48.00 грн
1000+44.83 грн
2500+42.15 грн
5000+40.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 2331898.pdf
IKP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP10N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 20 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+151.30 грн
12+73.18 грн
100+65.45 грн
500+48.18 грн
1000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60T+Rev2_3G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bceea1b13587
IKP10N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+163.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.