IKP10N60TXKSA1

IKP10N60TXKSA1 Infineon Technologies


infineon-ikp10n60t-datasheet-v02_06-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKP10N60TXKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 115 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns, Switching Energy: 430µJ, Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 62 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 110 W.

Інші пропозиції IKP10N60TXKSA1 за ціною від 46.2 грн до 137.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IKP10N60T+Rev2_3G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bceea1b13587 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.19 грн
50+ 85.34 грн
100+ 70.22 грн
500+ 55.76 грн
1000+ 47.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKP10N60T_DataSheet_v02_06_EN-3361884.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.61 грн
10+ 77.09 грн
100+ 59.02 грн
250+ 58.23 грн
500+ 53.36 грн
1000+ 46.27 грн
2500+ 46.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 Виробник : INFINEON 2331898.pdf Description: INFINEON - IKP10N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 20 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+137.13 грн
10+ 84.04 грн
100+ 72.03 грн
500+ 61.54 грн
1000+ 52.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKP10N60TXKSA1
Код товару: 132883
IKP10N60T+Rev2_3G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bceea1b13587 Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKP10N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKP10N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній