Продукція > INFINEON > IKP15N60TXKSA1

IKP15N60TXKSA1 Infineon


info-tikp15n60t.pdf
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 75 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+84.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKP15N60TXKSA1 Infineon

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns, Switching Energy: 570µJ, Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 87 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 130 W.

Інші пропозиції IKP15N60TXKSA1 за ціною від 47.01 грн до 171.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.16 грн
10+72.96 грн
50+59.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON 2331899.pdf Description: INFINEON - IKP15N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 30 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.86 грн
10+92.10 грн
100+76.72 грн
500+58.11 грн
1000+50.32 грн
5000+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+104.16 грн
10+72.96 грн
50+59.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 2331899.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP15N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 30 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+171.86 грн
10+92.10 грн
100+76.72 грн
500+58.11 грн
1000+50.32 грн
5000+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.