IKP15N65F5XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IKP15N65F5XKSA1 - IGBT, 15 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 183.77 грн |
| 10+ | 155.38 грн |
| 100+ | 124.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKP15N65F5XKSA1 INFINEON
Description: IGBT 650V 30A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns, Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off), Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V, Gate Charge: 38 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 105 W.
Інші пропозиції IKP15N65F5XKSA1 за ціною від 68.59 грн до 187.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKP15N65F5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKP15N65F5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IKP15N65F5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 18A Power dissipation: 52.5W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 24ns Turn-off time: 166ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IKP15N65F5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO220-3 Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off) Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 38 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 105 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKP15N65F5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 18A Power dissipation: 52.5W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 24ns Turn-off time: 166ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |