Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKP15N65H5XKSA1
IKP15N65H5XKSA1

IKP15N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62 Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 38nC
Power dissipation: 105W
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.18 грн
10+106.16 грн
20+92.79 грн
50+77.85 грн
100+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKP15N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: IGBT 650V 30A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 48 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns, Switching Energy: 120µJ (on), 50µJ (off), Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V, Gate Charge: 38 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 105 W.

Інші пропозиції IKP15N65H5XKSA1 за ціною від 54.96 грн до 195.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 38nC
Power dissipation: 105W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.44 грн
10+127.39 грн
20+111.35 грн
50+93.42 грн
100+83.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKP15N65H5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.52 грн
10+125.01 грн
100+77.00 грн
500+64.92 грн
1000+57.45 грн
2500+56.01 грн
5000+54.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 38722859578709984ds_ikp15n65h5.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileid.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IKP15N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013afa3708e65ee0 Description: IGBT 650V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns
Switching Energy: 120µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.