Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKP20N60TXKSA1
IKP20N60TXKSA1

IKP20N60TXKSA1 Infineon Technologies

IKP_W20N60T+Rev2_5G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bd1fce7135bd
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+70.00 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKP20N60TXKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 41 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns, Switching Energy: 770µJ, Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 166 W.

Інші пропозиції IKP20N60TXKSA1 за ціною від 134.62 грн до 244.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.40 грн
10+134.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 Infineon Technologies 43108097755415224dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304323b87bc.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.50 грн
10+153.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON IKP_W20N60T+Rev2_5G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bd1fce7135bd Description: INFINEON - IKP20N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 40 A, 2.05 V, 166 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 Infineon Technologies 43108097755415224dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304323b87bc.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.40 грн
10+134.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 43108097755415224dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304323b87bc.pdf
IKP20N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+244.50 грн
10+153.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP_W20N60T+Rev2_5G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bd1fce7135bd
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP20N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 40 A, 2.05 V, 166 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 43108097755415224dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304323b87bc.pdf
IKP20N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.