
IKP20N60TXKSA1 Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 89.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKP20N60TXKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 41 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns, Switching Energy: 770µJ, Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 166 W.
Інші пропозиції IKP20N60TXKSA1 за ціною від 69.05 грн до 262.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IKP20N60TXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IKP20N60TXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IKP20N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 770µJ Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W |
на замовлення 1791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IKP20N60TXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IKP20N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IKP20N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IKP20N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
IKP20N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |