на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 277.81 грн |
| 10+ | 138.63 грн |
| 100+ | 107.90 грн |
| 500+ | 87.81 грн |
| 1000+ | 78.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKP20N65F5 Infineon Technologies
Description: IKP20N65 - DISCRETE IGBT WITH AN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/165ns, Switching Energy: 160µJ (on), 60µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 125 W.
Інші пропозиції IKP20N65F5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IKP20N65F5 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IKP20N65 - DISCRETE IGBT WITH ANPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/165ns Switching Energy: 160µJ (on), 60µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 125 W |
товару немає в наявності |