Продукція > INFINEON > IKP28N65ES5XKSA1

IKP28N65ES5XKSA1 INFINEON


Infineon-IKP28N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201697b6e31284429
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP28N65ES5XKSA1 - IGBT, 38 A, 1.5 V, 130 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 38A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKP28N65ES5XKSA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO220-3, Power - Max: 130 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 38 A, Part Status: Active, Gate Charge: 50 nC, Test Condition: 400V, 28A, 34Ohm, 15V, Switching Energy: 530µJ (on), 400µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 27ns/184ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 28A, Reverse Recovery Time (trr): 73 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IKP28N65ES5XKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKP28N65ES5XKSA1 IKP28N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKP28N65ES5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKP28N65ES5XKSA1 Infineon_IKP28N65ES5_DS_v02_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.