на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 225.88 грн |
| 10+ | 187.33 грн |
| 25+ | 153.55 грн |
| 100+ | 131.52 грн |
| 250+ | 124.84 грн |
| 500+ | 100.81 грн |
| 1000+ | 93.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKP28N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 28A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 73 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 28A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/184ns, Switching Energy: 530µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 28A, 34Ohm, 15V, Gate Charge: 50 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 38 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 130 W.
Інші пропозиції IKP28N65ES5XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IKP28N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 38A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
|
 |
IKP28N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 28A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 73 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 28A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/184ns Switching Energy: 530µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 28A, 34Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 38 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 130 W |
товар відсутній |