IKP40N65H5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 115.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKP40N65H5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 74A 255W TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 62 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns, Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 74 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 255 W.
Інші пропозиції IKP40N65H5XKSA1 за ціною від 104.47 грн до 388.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKP40N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 4873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKP40N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKP40N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKP40N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKP40N65H5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKP40N65H5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKP40N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKP40N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
IKP40N65H5XKSA1 Код товару: 186200 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
IKP40N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IKP40N65H5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; H5 Power dissipation: 255W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Manufacturer series: H5 Gate charge: 95nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 46A Pulsed collector current: 120A Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IKP40N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 74A 255W TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 62 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO220-3 Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKP40N65H5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; H5 Power dissipation: 255W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Manufacturer series: H5 Gate charge: 95nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 46A Pulsed collector current: 120A Type of transistor: IGBT |
товар відсутній |