IKQ120N60TA Infineon Technologies



Виробник: Infineon Technologies
Infineon DISCRETE SWITCHES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKQ120N60TA Infineon Technologies

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 120A, Power dissipation: 833W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of package: tube, Turn-off time: 343ns, Gate charge: 772nC, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Pulsed collector current: 480A, Turn-on time: 76ns.

Інші пропозиції IKQ120N60TA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TAXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ120N60TA.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 343ns
Gate charge: 772nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TA.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 343ns
Gate charge: 772nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.