IKQ120N60TAXKSA1

IKQ120N60TAXKSA1 Infineon Technologies


infn_s_a0000250409_1-2271239.pdf Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1270.28 грн
10+1150.61 грн
25+959.33 грн
100+845.30 грн
240+803.36 грн
480+789.39 грн
1200+743.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKQ120N60TAXKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 280 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-46, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/310ns, Switching Energy: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off), Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 772 nC, Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A, Power - Max: 833 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IKQ120N60TAXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TAXKSA1 Виробник : Infineon Technologies dgdlfileid5546d46249cd10140149d21543934de3.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TAXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC61D783DC6F3D7&compId=IKQ120N60TA.pdf?ci_sign=1c156fe05a0361b5601e9e8ff2b0d1bd8ddd8421 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 772nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TAXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IKQ120N60TA.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/310ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 772 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TAXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC61D783DC6F3D7&compId=IKQ120N60TA.pdf?ci_sign=1c156fe05a0361b5601e9e8ff2b0d1bd8ddd8421 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 772nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.